SOT-MRAM

来自台湾与美国的科研团队近日攻克了阻碍自旋轨道转矩磁性随机存取存储器（SOT-MRAM）走向商用的重要材料稳定性难题。此次突破聚焦于钨的β相（β-W）的稳定性，该材料是实现SOT-MRAM器件强自旋电流、快速数据切换的关键，但过去因难以承受半导体工艺高温而难以量产。 研究人员通过引入超薄钴...