2025-12-05
三星展示 40Gbps GDDR7 显存:3GB(24Gb)容量,12 纳米 DRAM 制程工艺
三星电子在首尔举行的“2025韩国科技节”上发布了新一代GDDR7显存芯片,单颗容量为24 Gb(3 GB),数据速率高达40 Gbps,并凭借这款产品获得韩国总统表彰勋章,进一步巩固其在高性能图形与AI存储领域的领先地位。 该芯片基于约12 nm级DRAM制程,兼顾高带宽与高密度设计,被...
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三星电子在首尔举行的“2025韩国科技节”上发布了新一代GDDR7显存芯片,单颗容量为24 Gb(3 GB),数据速率高达40 Gbps,并凭借这款产品获得韩国总统表彰勋章,进一步巩固其在高性能图形与AI存储领域的领先地位。 该芯片基于约12 nm级DRAM制程,兼顾高带宽与高密度设计,被...