三星的韩国各工厂将NAND闪存生产转向DRAM
三星正准备对其存储芯片生产战略进行重大调整。由于全球 AI 基础设施的迅速发展,DRAM 的需求持续激增。韩国业界消息人士(引自 SE Daily)透露,三星计划将其位于平泽和华城的部分 NAND 闪存生产线转为 DRAM 制造;即将投产的平泽 Fab 4 工厂也将作为专用 DRAM 生产...
你的专属IT资讯(IT News)
三星正准备对其存储芯片生产战略进行重大调整。由于全球 AI 基础设施的迅速发展,DRAM 的需求持续激增。韩国业界消息人士(引自 SE Daily)透露,三星计划将其位于平泽和华城的部分 NAND 闪存生产线转为 DRAM 制造;即将投产的平泽 Fab 4 工厂也将作为专用 DRAM 生产...
作为存储芯片领域的领先企业,SK海力士正加快扩展其产能,以满足行业日益上涨的芯片需求。公司近期正筹备全新技术,力图进一步提升移动及边缘设备上的AI工作负载处理能力。 据多家韩国媒体报道,SK海力士正在研发新型计算机内存,以加速本地AI运算。这项名为高带宽存储(HBS)的新技术,是此前高带宽...
5 月 6 日消息,据美媒 The Journal News 讣告版,现代 DRAM 内存发明人罗伯特・登纳德(Robert Dennard)于 2024 年 4 月 23 日逝世,享年 91 岁。 罗伯特・登纳德于 1932 年 9 月 5 日出生于美国得克萨斯州特雷尔。其于...