闪存芯片

10月23日消息，自从Intel首次在22nm工艺节点引入Finfet晶体管之后，逻辑工艺正式进入3D时代，现在三星也要在闪存芯片上首发3D晶体管技术了。 FinFET是一种3D结构的晶体管，其结构类似鱼鳍Fin，进而得名鳍式晶体管，相比传统的2D平面晶体管优点很多，Intel率先在22n...

10月11日消息，时隔半年，继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件之后，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院的周鹏-刘春森团队研发出了“长缨（CY-01）”闪存架构。 它将二维超快闪存器件“破晓（PoX）”与成熟硅基CMOS工艺深度融合，打造了全球首颗二维-硅基混合架构...