业界首款!三星成功开发12层堆叠36GB HBM3E内存:带宽达1280GB/s
2月27日消息,今天,三星电子官方宣布,成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM,巩固了在高容量HBM市场的领先地位。
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2月27日消息,今天,三星电子官方宣布,成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM,巩固了在高容量HBM市场的领先地位。
据韩媒매일경제报道,三星已在硅谷开设通用人工智能计算实验室(AGI Computering Lab),进军 AI 半导体逻辑芯片领域。
根据流露出的渲染图来看,三星Galaxy A35延续了A15/A25的Key Island的中框设计元素,电源按键与音量按键区域微微向外凸起,拥有粉色、黑色和白色三款配色。
2月5日消息,据媒体报道,三星计划明年在韩国开始2nm工艺的制造,并且在2047年之前,三星将在韩国投资500万亿韩元,建立一个巨型半导体工厂,将进行2nm制造。
三星今日在 CES 2024 高强度发布新品,新一代智能显示器 M80D 亮相展台,相比老款 M8 拥有一些细节改进。